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2010年10月15日下午，在第七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明展覽會(huì)暨論壇上，廣東半導(dǎo)體照明工程省部產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)盟理事長(zhǎng)、中山大學(xué)佛山研究院院長(zhǎng)王鋼教授作了題為《摻鎵氧化鋅（GZO）透明導(dǎo)電膜在高亮度LED芯片中的應(yīng)用》的報(bào)告。
王鋼教授認(rèn)為氧化鋅（ZnO）作為新型的透明電極材料有許多優(yōu)點(diǎn)：ZnO透過(guò)率可到95%，p型歐姆接觸可達(dá)10-3，與ITO相當(dāng)；但是其化學(xué)穩(wěn)定性比ITO好，熱導(dǎo)率高；ZnO晶體質(zhì)量高，制作可再現(xiàn)性好。此外，還可以通過(guò)摻雜Al、In等來(lái)改善其導(dǎo)電特性和透過(guò)率。
王鋼教授指出可以利用MOCVD生長(zhǎng)技術(shù)生長(zhǎng)單晶納米柱狀結(jié)構(gòu)ZnO透明導(dǎo)電薄膜（GZO）材料，而且他通過(guò)各種外延材料及芯片實(shí)驗(yàn)證明，摻鎵氧化鋅（GZO）透明導(dǎo)電膜有其非常獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：
1、Ga:ZnO對(duì)可見(jiàn)光高度透明，源于C軸方向上的高度結(jié)晶及高的化學(xué)計(jì)量，減少了光的吸收和傳輸時(shí)的散射；
2、芯片之正向電壓高于Ni/Au0.24V，源于外延片表面未加隧道層；
3、芯片之Iv的提高，源于GaN:Ga:ZnO界面形成時(shí)增加了P-GaN表面的空穴濃度、高透明度、低電阻率和自組織化圓冠狀的表面層。
